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Datasheet下载- 型号： IPB019N06L3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB019N06L3 G产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB019N06L3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b |
| 产品型号 | IPB019N06L3 G |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 79 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 196µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 166nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB019N06L3 GDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 131 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | IPB019N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB019N06L3GATMA1 SP000453020 |
